规格书 |
BSS119 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 10,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 100V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 170mA |
Rds(最大)@ ID,VGS | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.3V @ 50µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 2.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 78pF @ 25V |
功率 - 最大 | 360mW |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | PG-SOT23-3 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 170mA |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.3V @ 50µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
供应商设备封装 | PG-SOT23-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 6 Ohm @ 170mA, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 360mW |
标准包装 | 10,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 78pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 2.5nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
其他名称 | BSS119 L6433DKR |
工厂包装数量 | 10000 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 0.17 A |
系列 | BSS119 |
安装风格 | SMD/SMT |
RDS(ON) | 6000 mOhms |
功率耗散 | 360 mW |
最低工作温度 | - 55 C |
封装/外壳 | SOT-23-3 |
典型关闭延迟时间 | 9.3 ns |
零件号别名 | BSS119L6433HTMA1 |
上升时间 | 3.1 ns |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | 100 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 3.1 ns |
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